CVD集成系统_1200℃_CVD设备

Name: CVD集成系统_1200℃_CVD设备
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CVD集成系统是一套完备的集成控制的CVD系统，控制部分采用了中环自主研发的实验电炉 A10智能控制系统，使得操作更加简便，功能更加强大，可实现沉积生长过程自动化集成控制，重复精度高，操作简单，提高效率，降低成本。适用于经典化学气相沉积工艺。

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CVD集成系统-产品介绍:
CVD集成系统是一套完备的集成控制的CVD系统，控制部分采用了中环自主研发的实验电炉 A10智能控制系统，使得操作更加简便，功能更加强大，可实现沉积生长过程自动化集成控制，重复精度高，操作简单，提高效率，降低成本。适用于经典化学气相沉积工艺。

产品用途：

CVD集成系统可用于二维材料制备、石墨烯生长、TMDs材料制备、二硫化钼、薄膜材料制备、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金属涂层、碳纳米管生长、Zn0纳米结构生长、新晶体材料、陶瓷纤维、陶瓷电容气氛烧结、粉体材料气氛烧结、非晶态合金、金刚石薄膜等

CVD集成系统配置：

1.PLC集成控制系统

2.1200°C开启式管式炉

3.多路质量流量控制系统
4.真空控制系统(可选配中真空/高真空)

5.电动滑轨系统

CVD集成系统参数：

系统名称	CVD集成系统
名称	单温区CVD集成系统	双温区CVD集成系统
系统型号	CVD-12H-1-3Z/G-A	CVD-12H-2-3Z/G-A
最高温度	1200℃
加热区长度	200mm	420mm
恒温区长度	70mm	200mm
温区	单温区	双温区
石英管管径	Φ50/Φ60/Φ80/Φ100mm
额定功率	1.2Kw	3.2Kw
额定电压	220V
滑动距离	200mm	380mm
滑动方式	手动滑动/自动滑动(由温度控制器自动控制移动。当程序完成，炉子按设定的速度滑动)
温度控制	国产程序控温系统50段程序控温
控制精度	±1℃
长期工作温度	≤1100℃
气路法兰	采用多环密封技术卡箍快速连接
排风冷却装置	先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到50℃时，排温风扇将自动启动，使炉体表面快速降温
气体控制方式	质量流量计(按键式)
气路数量	1～3路(可根据具体需要选配气路数量)
流量范围	0-500sccm(标准毫升/分，可选配)氮气标定
精度	±1%F.S
响应时间	1sec
工作温度(流量计)	5-45℃
工作压力	进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)
进气方式	采用防倒流设计
规格	中真空
系统真空范围	10-100Pa
真空泵	双极机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽泣速率4L/S(选配：其它抽速真空泵),出气口配有油雾过滤器，额定电压220V,功率0.55Kw
炉体外形尺寸	360×580×555mm
系统外形尺寸	530×1440×750mm
系统总重量	230Kg