预加热滑动PECVD系统_1200℃_双温区/多温区
- 产品描述
-
PECVD系统是一种 Plasma 增强 CVD系统(PECVD)，在传统 CVD系统的前端加入RF 射频感应装置将反应气体电离，形成等离子体，利用等离子体的活性来促进反应，降低气相沉积反应温度，沉积速度快，成膜质量好。包含加热系统、控温系统、射频电源、滑动装置、质量气体流量控制、真空控制系统、预加热系统等模块，根据工艺要求多模块自由组合，并可扩展升级配置，节约成本。适用于Plasma增强化学气相沉积工艺。
PECVD系统-产品用途:
PECVD系统可以用于二维材料制备、石墨烯生长、TMDs材料制备、二硫化钼、薄膜材料制备、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金刚石薄膜、金属涂层、碳纳米管生长、Zn0纳米结构生长、新晶体材料、陶瓷纤维、陶瓷电容气氛烧结、非晶态合金、粉体材料气氛烧结、等离子表面改性等离子聚合、等离子清洗等
预加热PECVD系统配置:
1.1200度开启式双温区真空管式炉
2.手动、电动滑动系统
3.预加热开启式管式电炉
4.等离子射频电源
5.多路质量流量控制系统
6.真空控制系统(可选配中真空或高真空)产品特点：
生长温度低；沉积速率快；成膜质量好，适用范围广，设备简单。
产品参数：
系统名称
1200℃(含滑动式)单/多温区PECVD系统
系统型号
PECVD-12IH-500A
PECVD-12II-3Z/G
PECVD-12IIH-3Z/G
PECVD-Y12IIH-3Z/G
最高温度
1200℃
加热区长度
200mm
420mm
恒温区长度
70mm
200mm
温区
单温区
双温区
石英管管径
Φ50/Φ60/Φ80/Φ100mm
额定功率
1.2Kw
3.2Kw
6.2Kw
额定电压
220V
滑动距离
200mm
380mm
滑动方式
手动滑动/自动滑动(由温度控制器自动控制移动。当程序完成，炉子按设定的速度滑动)
温度控制
国产程序控温系统50段程序控温
控制精度
±1℃
炉管最高工作温度
<1200℃
气路法兰
采用多环密封技术卡箍快速连接
排风冷却装置
先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到50℃时，排温风扇将自动启动，使炉体表面快速降温
气体控制方式
质量流量计(按键式)
气路数量
1～3路(可根据具体需要选配气路数量)
流量范围
0-500sccm(标准毫升/分，可选配)氮气标定
精度
±1%F.S
响应时间
1sec
工作温度(流量计)
5-45℃
工作压力
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)
进气方式
采用防倒流设计
规格
中真空
高真空
系统真空范围
1-1000Pa(可选配其它量程)
10-1x10-3Pa
真空泵
双极机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽泣速率4L/S (选配：其它抽速真空泵),出气口配有油雾过滤器， 额定电压220V,功率0.55Kw
真空分子泵理论极限真空度真空分子泵理论极限真空度 5x10-Pa,抽泣速率1200L/S(选配：5x10-6Pa,抽泣速率1600L/S(选配： 其它抽速真空泵),出气口配有油雾 其它抽速真空泵),出气口配有油雾 过滤器，额定电压220V,功率2Kw 过滤器，额定电压220V,功率2Kw
信号频率
13.56MHz±0.005%
功率输出范围
0-100W
1-500W
最大反射功率
≤1%
工作功率
≤70W
≤350W
射频输出接口
50Ω,N-type,temale
功率稳定度
±0.1%
谐波分量
≤-50dbc
供电电压
单相交流(187V-253V)频率50/60HZ
冷却方式
风冷
整机功率
≤70%
屏幕显示
正方向功率，匹配器电容位置，偏置电压值
系统外形尺寸
530×1440×750mm
530×1440×750mm 530×1740×750mm
系统总重量
230Kg
230Kg
290Kg
330Kg
关键词：
管式电炉系列
工业炉系列
中环电炉客服