• 产品描述
  • CVD系统-产品介绍:
    此款设备是一套化学气相沉积生长系统,可包含加热系统、控温系统、滑动装置、质量气体流量控制、真空控制系统、预加热系统等模块,根据工艺要求多模块自由组合,并可扩展升级配置,节约成本。适用于多种经典化学气相沉积工艺。

    CVD系统-产品用途:

    可用于二维材料制备、石墨烯生长、TMDs 材料制备、二硫化钼制备、薄膜材料制备、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金刚石薄膜、金属涂层、碳纳米管生长、ZnO 纳米结构生长、新晶体材料、陶瓷纤维制备; 陶瓷电容气氛烧结、粉体材料气氛烧结、非晶态合金生长。

    产品组成:

    此款CVD系统配置:
    1.1200度开启式真空管式炉(可选配滑动/双管)
    2.手动、电动滑动系统
    3.多路质量流量控制系统
    4.真空控制系统(可选配中真空或高真空)    

    系统名称

    1200℃(含滑动式)单/多温区CVD系统

    系统型号

    CVD-12I-3Z/G

    CVD-12IIH-3Z/G

    CVD-Y12IIH-3Z/G

    CVD-12IIIH-3Z/G

    最高温度

    1200℃

    加热区长度

    420mm

    655mm

    恒温区长度

    200mm

    500mm

    温区

    单温区

    双温区

    三温区

    石英管管径

    ①50/Φ60/Φ80/Φ100mm

    额定功率

    3Kw

    3.2Kw

    4.8Kw

    额定电压

    220V

    380V

    滑动距离

    380mm(≥500)

    500mm(≥800)

    滑动方式

    手动滑动/自动滑动(由温度控制器自动控制移动。当程序完成,炉子按设定的速度滑动)

    温度控制

    国产程序控温系统50段程序控温

    控制精度

    ±1℃

    长期工作温度

    ≤1100℃

    气路法兰

    采用多环密封技术卡箍快速连接

    排风冷却装置

    先进的空气隔热技术,结合热感应技术,当炉体表面温升到50℃时,排温风扇将自动启动,使炉体表面快速降温

    气体控制方式

    质量流量计(按键式)

    气路数量

    1~3路(可根据具体需要选配气路数量 )

    流量范围

    0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定

    精度

    ±1%F.S

    响应时间

    1sec

    工作温度(流量计)

    5-45℃

    工作压力

    进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)

    进气方式

    采用防倒流设计

    规格

    中真空

    高真空

    系统真空范围

    10-100Pa

    10-1x10-3Pa

     

    真空泵

    双极机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽泣速率4L/S  (选配:其它抽速真空泵),出气口配有油雾过滤器, 额定电压220V,功率0.55Kw

    真空分子泵理论极限真空度

    5x10-6Pa,抽泣速率1200L/S(选配: 其它抽速真空泵),出气口配有油雾  过滤器,额定电压220V,功率2Kw

    真空分子泵理论极限真空度   5x10-6Pa,抽泣速率1600L/S(选配: 其它抽速真空泵),出气口配有油雾  过滤器,额定电压220V,功率2Kw

    炉体外形尺寸

    360×580×555mm

    360×815×555mm

    系统外形尺寸

    530×1440×750mm

    530×1740×750mm

    530×1740×750mm

    系统总重量

    230Kg

    290Kg

    330Kg

     

     

关键词:

获取更多产品信息

*注:请准确填写信息,保持沟通畅通。我们会尽快与您联系。

提交