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1200℃双温区CVD系统

产品用途:此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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产品描述
技术参数
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销售热线:022-26980130  15122725930  赵经理

 

产品用途:

此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

产品组成:

此款CVD系统配置:

1.1200度开启式真空管式炉(可选配单温区、双温区)。

2.多路质量流量控制系统

3.真空系统(可选配中真空或高真空)     

产品特点:

1 控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠,操作简单。

2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权专利设计,提高操作便捷性。

3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能,高真空系统采用高压强,耐冲击分子泵

 防止意外漏气造成分子泵损坏,延长系统使用寿命。

系统名称

1200℃单/双温区CVD系统

系统型号

CVD-12II-3Z/G

CVD-12II6-3Z/G

最高温度

1200℃

加热区长度

420mm

600mm

恒温区长度

280mm

390mm

温区

双温区

双温区

石英管管径

Φ50/Φ60/Φ80mm

Φ80/Φ100mm

额定功率

3.2Kw

4.8Kw

额定电压

220V

温度控制

国产程序控温系统50段程序控温;

控制精度

±1℃

炉管最高工作温度

<1200℃

气路法兰

密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术,在密封法兰与管外壁间形成了密封,在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效,该密封法兰的安装只需在第一次使用设备的时候安装

气体控制方式

质量流量计

气路数量

3路(可根据具体需要选配气路数量)

流量范围

0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定

精度

±1%F.S

响应时间

≤4sec

工作温度

5-45℃

工作压力

进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)

系统连接方式

采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪

规格

高真空

系统真空范围

1x10-3Pa-1x10-1Pa

真空泵

真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V    功率2KW

真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V  功率2KW

 

 

炉体外形尺寸

340×580×555mm

480×770×605mm

系统外形尺寸

530x1440x750mm(不含高真空)

系统总重量

330kg

 

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