- 产品描述
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CVD系统-产品介绍:
此款设备是一套化学气相沉积生长系统,可包含加热系统、控温系统、滑动装置、质量气体流量控制、真空控制系统、预加热系统等模块,根据工艺要求多模块自由组合,并可扩展升级配置,节约成本。适用于多种经典化学气相沉积工艺。
CVD系统-产品用途:
可用于二维材料制备、石墨烯生长、TMDs 材料制备、二硫化钼制备、薄膜材料制备、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金刚石薄膜、金属涂层、碳纳米管生长、ZnO 纳米结构生长、新晶体材料、陶瓷纤维制备; 陶瓷电容气氛烧结、粉体材料气氛烧结、非晶态合金生长。
产品组成:
此款CVD系统配置:
1.1200度开启式真空管式炉(可选配滑动/双管)
2.手动、电动滑动系统
3.多路质量流量控制系统
4.真空控制系统(可选配中真空或高真空)系统名称
1200℃(含滑动式)单/多温区CVD系统
系统型号
CVD-12I-3Z/G
CVD-12IIH-3Z/G
CVD-Y12IIH-3Z/G
CVD-12IIIH-3Z/G
最高温度
1200℃
加热区长度
420mm
655mm
恒温区长度
200mm
500mm
温区
单温区
双温区
三温区
石英管管径
①50/Φ60/Φ80/Φ100mm
额定功率
3Kw
3.2Kw
4.8Kw
额定电压
220V
380V
滑动距离
380mm(≥500)
500mm(≥800)
滑动方式
手动滑动/自动滑动(由温度控制器自动控制移动。当程序完成,炉子按设定的速度滑动)
温度控制
国产程序控温系统50段程序控温
控制精度
±1℃
长期工作温度
≤1100℃
气路法兰
采用多环密封技术卡箍快速连接
排风冷却装置
先进的空气隔热技术,结合热感应技术,当炉体表面温升到50℃时,排温风扇将自动启动,使炉体表面快速降温
气体控制方式
质量流量计(按键式)
气路数量
1~3路(可根据具体需要选配气路数量 )
流量范围
0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定
精度
±1%F.S
响应时间
1sec
工作温度(流量计)
5-45℃
工作压力
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)
进气方式
采用防倒流设计
规格
中真空
高真空
系统真空范围
10-100Pa
10-1x10-3Pa
真空泵
双极机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽泣速率4L/S (选配:其它抽速真空泵),出气口配有油雾过滤器, 额定电压220V,功率0.55Kw
真空分子泵理论极限真空度
5x10-6Pa,抽泣速率1200L/S(选配: 其它抽速真空泵),出气口配有油雾 过滤器,额定电压220V,功率2Kw
真空分子泵理论极限真空度 5x10-6Pa,抽泣速率1600L/S(选配: 其它抽速真空泵),出气口配有油雾 过滤器,额定电压220V,功率2Kw
炉体外形尺寸
360×580×555mm
360×815×555mm
系统外形尺寸
530×1440×750mm
530×1740×750mm
530×1740×750mm
系统总重量
230Kg
290Kg
330Kg
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