天津中环电炉股份有限公司
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产品特点

1200℃单/双温区CVD系统

产品用途

此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

产品组成:

此款CVD系统配置:

1.1200度开启式真空管式炉(可选配单温区、双温区)。

2.多路质量流量控制系统

3.真空系统(可选配中真空或高真空)     

产品特点:

1 控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠,操作简单。

2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权专利设计,提高操作便捷性。

3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能,高真空系统采用高压强,耐冲击分子泵

 防止意外漏气造成分子泵损坏,延长系统使用寿命。



系统名称 1200℃单/双温区CVD系统
系统型号 CVD-12I-3Z/G CVD-12II-3Z/G CVD-12II6-3Z/G
最高温度 1200℃
加热区长度 420mm 420mm 600mm
恒温区长度 210mm 280mm 390mm
温区 单温区 双温区 双温区
石英管管径 Φ50/Φ60/Φ80/Φ100mm Φ50/Φ60/Φ80mm Φ80/Φ100mm
额定功率 2.5Kw 3.2Kw 4.8Kw
额定电压 220V
温度控制 国产程序控温系统50段程序控温;
控制精度 ±1℃
炉管最高工作温度 <1200℃
气路法兰 密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术,在密封法兰与管外壁间形成了密封,在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效,该密封法兰的安装只需在第一次使用设备的时候安装
气体控制方式 质量流量计
气路数量 3路(可根据具体需要选配气路数量)
流量范围 0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定
精度 ±1%F.S
响应时间 ≤4sec
工作温度 5-45℃
工作压力 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)
系统连接方式 采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
规格 中真空 高真空
系统真空范围 10Pa-100Pa 1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵 双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器,额定电压220V,功率0.55Kw 真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V    功率2KW 真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V  功率2KW
炉体外形尺寸 340×580×555mm 480×770×605mm
系统外形尺寸 530x1440x750mm 530x1440x750mm(不含高真空)
系统总重量 230kg 330kg